Samsung ha anunciado el descubrimiento conjunto de un nuevo material llamado nitruro de boro amorfo (a-BN). Sus investigadores del Samsung Advanced Institute of Technology (SAIT) trabajaron con el Ulsan National Institute of Science and Technology (UNIST) y la Universidad de Cambridge para realizar el descubrimiento. Los colaboradores publicaron sus hallazgos en la revista Nature y creen que el material «acelerará el advenimiento de la próxima generación de semiconductores».

Nitruro de Boro, el siguiente semiconductor ha llegado

Explicando el nitruro de boro amorfo recién descubierto, Samsung dijo que consiste en átomos de boro y nitrógeno con una estructura de molécula amorfa. La firma coreana dijo que el nuevo material se deriva del grafeno blanco, pero que la estructura molecular diferente hace que a-BN sea «únicamente distintiva» del grafeno blanco.

Samsung dijo que se espera que a-BN sea ampliamente utilizado en soluciones DRAM y NAND porque es capaz de minimizar las interferencias eléctricas y se puede cultivar a escala de oblea a una temperatura relativamente baja de 400ºC. Al comentar el material, Hyeon-Jin Shin, líder del proyecto de grafeno e investigador principal de SAIT, dijo:

«Para mejorar la compatibilidad del grafeno con los procesos semiconductores a base de silicio, el crecimiento del grafeno a escala de obleas en sustratos semiconductores debe implementarse a una temperatura inferior a 400ºC. También estamos trabajando continuamente para expandir las aplicaciones del grafeno más allá de los semiconductores.»

La firma no dio una fecha en la que espera comenzar a utilizar el nuevo material en sus productos de hardware, pero sí dijo que se aplicaría a los semiconductores, especialmente a la solución DRAM y NAND, en soluciones de memoria de próxima generación para servidores a gran escala.

Esto puede ser un gran salto para la industria que, ante ciertas limitaciones trabaja para romper otras. Veremos a ver si en algún momento vemos aplicaciones industriales del grafeno.

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